25V 220mA 350mW, Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | FDV301N |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Konfiguracja: | Single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 1*FET-BD |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | SMD |
Obudowa [inch] : | SOT- 23/3 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 0.01 [g] |
Rodzaj opakowania: | K18A |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 3000 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 25 [V] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 0.35 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 3V |
Rds(on) 3V (Ugs=2.5÷2.7V) | 3800 [mΩ] |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 3100 [mΩ] |
Qg (Total Gate Charge) | 0.49 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 10 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | SOT-23/3 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 357 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 0.95 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Długość | 2.9 [mm] |
W - Szerokość | 1.3 [mm] |
H - Wysokość | 1 [mm] |
PIN wymiary | 0,5 [mm] |
Lv - Length of outlets | 0.54 [mm] |