60V 475mA/25°C 300mA/100°C *S , toff<15ns
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | 2N7002F |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Konfiguracja: | Single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 1*FET-BD |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | SMD |
Obudowa [inch] : | SOT- 23/3 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 0.01 [g] |
Rodzaj opakowania: | K18A |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 3000 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 60 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 0.3 [A] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 0.83 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 5V |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 4000 [mΩ] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 2000 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 30 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 10 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 15 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 0.69 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 31 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | SOT-23/3 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -65 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 350 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 0.95 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Długość | 2.9 [mm] |
W - Szerokość | 1.3 [mm] |
H - Wysokość | 1 [mm] |
PIN wymiary | 0,5 [mm] |
Lv - Length of outlets | 0.54 [mm] |