30V 5.5A/136°C Uf=0.46V/5A/25°C , 130A/10ms Rthjc=3°C/W
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | 50WQ03FN |
Typ składnika: | Diode Schottky Silicon |
Kategorie | Diode Schottky SMD |
Konfiguracja: | single (1D) |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | SMD |
Obudowa [inch] : | DPAK |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Nie |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 0.36 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 75 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 5.5 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C) | 5.5 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 0.53 [VDC] |
IR (reverse current) | 3000 [µA] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 3 [°C/W] |
L - Długość | 6.5 [mm] |
W - Szerokość | 2.3 [mm] |
H - Wysokość | 6.1 [mm] |
Alternatywy i zamienniki
Alternatywa 1: | - STPS5L25B () |