Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

BSM25GB120DN2

IGBT 1200V

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
szt
ID Code:169132
Producent:Infineon Technologies
Cena z VAT : 94,103142 €
Cena bez VAT : 77,771191 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: BSM25GB120DN2
Magazyn centralny Zdice: 0 szt
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
1 + 77,771191 €94,103141 €
3 + 75,953369 €91,903576 €
5 + 75,044458 €90,803794 €
10 + 74,096028 €89,656194 €
IGBT 1200V

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaBSM25GB120DN2 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguracja:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Budowa:2*(IGBT+D) 
Liczba obwodów 2 ks
Rodzaj sprawy:Modul 
Obudowa [inch] :SEMITRANS-2 
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:0.09 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):10 

Parametry elektrofizyczne:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)38 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)25 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)200  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)130 [ns]
tr (Turn-on / rise time)65 [ns]
tf (turn-off=fall time)50 [ns]
Cin/CL Load Capacitance1650 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)125 [°C]
Rthjc (case)0.6 [°C/W]
L - Długość 94 [mm]
W - Szerokość 34 [mm]
H - Wysokość 30 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! BSM25GB120DN2 Infineon Technologies

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji