IGBT 1200V
ID Code: | 169132 |
Producent: | Infineon Technologies |
Cena z VAT : | 94,103142 € |
Cena bez VAT : | 77,771191 € |
VAT: | 21 % |
Dostępność: | na życzenie |
Całkowity czas: | 0 szt |
Oznaczenie producenta: | BSM25GB120DN2 |
Magazyn centralny Zdice: | 0 szt |
Jednostki:: | szt |
Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
1 + | 77,771191 € | 94,103141 € | ||
3 + | 75,953369 € | 91,903576 € | ||
5 + | 75,044458 € | 90,803794 € | ||
10 + | 74,096028 € | 89,656194 € |
Oznaczenie producenta | BSM25GB120DN2 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Budowa: | 2*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 2 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SEMITRANS-2 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednostki: | szt |
Waga: | 0.09 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 38 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 25 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 200 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 130 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 65 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 50 [ns] |
Cin/CL Load Capacitance | 1650 pF |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.6 [°C/W] |
L - Długość | 94 [mm] |
W - Szerokość | 34 [mm] |
H - Wysokość | 30 [mm] |