IGBT 1200V - 3-Level Inverter
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | SEMiX205TMLI12E4B |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | 3-level TNPC Inverter |
Budowa: | 4*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 4 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SEMiX-5 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
Material Base | Cu+AL2O3 |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 470 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 10 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 636 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 490 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 128 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 121 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 3026 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 24600 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 130x103x21 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.14 [°C/W] |
L - Długość | 130 [mm] |
W - Szerokość | 103 [mm] |
H - Wysokość | 21 [mm] |