300V 192A N-channel MOSFET SOT-227B , 14,5mO miniBLOC
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | IXFN210N30P3 |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Konfiguracja: | Single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 1*FET-BD |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SOT-227 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
Material Base | No Info |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 36 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 10 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 300 [V] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1500 [W] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 14.5 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 250 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 25 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 13 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 268 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 16200 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.18 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 15 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 12.7 [mm] |
D - Średnica zewnętrzna | 4.1 [mm] |
L - Długość | 38.1 [mm] |
W - Szerokość | 25.3 [mm] |
H - Wysokość | 12 [mm] |