Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

DAMJ4N700B

MOSFET 700V / 4A, 0,93 ohm, TO-251

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
DAMJ4N700B Daco Semiconductor
DAMJ4N700B Daco Semiconductor
DAMJ4N700B Daco Semiconductor
Nie ma już w magazynie
ID Code:179024
Producent:Daco Semiconductor
Cena: na życzenie
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: DAMJ4N700B
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
MOSFET 700V / 4A, 0,93 ohm, TO-251

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaDAMJ4N700B 
Typ składnika:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguracja:Single 1*(T-BD) 
Specyfikacja:Enhancement Mode 
Budowa:1*FET-BD 
Liczba obwodów 1 ks
Rodzaj sprawy:THT 
Obudowa [inch] :TO-251AA 
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:2.7 [g]
Rodzaj opakowania:TUBE 
Małe opakowanie (liczba sztuk):50 

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 700 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)2.5 [A]
UF (maximum forward voltage)1.2 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)50  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)930 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)12 [ns]
tf (turn-off=fall time)[ns]
Qg (Total Gate Charge)13 [nC]
Cin/CL Load Capacitance450 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-55 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]
Rthjc (case)2.5 [°C/W]
Number of Pins

!_potrebujete poradit ?_! DAMJ4N700B Daco Semiconductor

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji