IGBT Module 1200V / 600 A, Dual , Cu Base
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | DIM600DDS12-A000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | single 2*(T+D) |
Budowa: | 2*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 2 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | MODUL-D |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 1185.5 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 2 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 600 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 600 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.1 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 100000 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 5208 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 100 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 70 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 6000 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 70000 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 130x140x38 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.024 [°C/W] |
L - Długość | 130 [mm] |
W - Szerokość | 140 [mm] |
H - Wysokość | 38 [mm] |