High Speed IGBT 1200V above 15kHz
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | SKM150GB12F4G |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Budowa: | 2*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 2 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SEMITRANS-3 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 355 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 12 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 201 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 153 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.6 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.42 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 850 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 8800 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 108x62x31 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.2 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 28 [mm] |
L - Długość | 106.4 [mm] |
W - Szerokość | 61.4 [mm] |
H - Wysokość | 30.5 [mm] |
Alternatywy i zamienniki
Alternatywa 1: | 132882 - SKM200GB125D (SMK) |