Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

SK200MB120TSCE2

MOSFET 1200V Full SiC Evaluation Sample

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
SK200MB120TSCE2 Semikron
SK200MB120TSCE2 Semikron
Nie ma już w magazynie
ID Code:182130
Producent:Semikron
Cena: na życzenie
VAT:21 %
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: SK200MB120TSCE2
Jednostki:: szt
MOSFET 1200V Full SiC Evaluation Sample
• Extremely low inductance design: LCE=6nH
• Press-Fit contact technology
• Rugged mounting due to integrated mounting clamps
• Heat transfer and insulation through direct copper bonded aluminum oxide ceramic (DBC)
• 1200V CoolSiC MOSFET
• UL recognized file no. E 63 532
• Integrated NTC temperature sensor

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaSK200MB120TSCE2 
Typ składnika:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfiguracja:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Specyfikacja:SiC N-Channel MOSFET 
Budowa:2*FET-BD 
Rodzaj sprawy:Modul 
Obudowa [inch] :SEMITOP-E2 
Rodzaj materiału:SiC Full 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:35 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):12 

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)137 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Input Logic Level (Ugs level)15V 
tr (Turn-on / rise time)24 [ns]
tf (turn-off=fall time)10 [ns]
Qg (Total Gate Charge)372 [nC]
Cin/CL Load Capacitance12000 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)175 [°C]
Rthjc (case)0.3 [°C/W]
L - Długość 57 [mm]
W - Szerokość 63 [mm]
H - Wysokość 17 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! SK200MB120TSCE2 Semikron

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji