MOSFET 1200V Full SiC Evaluation Sample
• Extremely low inductance design: LCE=6nH
• Press-Fit contact technology
• Rugged mounting due to integrated mounting clamps
• Heat transfer and insulation through direct copper bonded aluminum oxide ceramic (DBC)
• 1200V CoolSiC MOSFET
• UL recognized file no. E 63 532
• Integrated NTC temperature sensor
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | SK200MB120TSCE2 |
Typ składnika: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfiguracja: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Specyfikacja: | SiC N-Channel MOSFET |
Budowa: | 2*FET-BD |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SEMITOP-E2 |
Rodzaj materiału: | SiC Full |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 35 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 12 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 137 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Input Logic Level (Ugs level) | 15V |
tr (Turn-on / rise time) | 24 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 10 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 372 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 12000 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.3 [°C/W] |
L - Długość | 57 [mm] |
W - Szerokość | 63 [mm] |
H - Wysokość | 17 [mm] |