Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

SK35GD12T4ETE1

IGBT 1200V

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
SK35GD12T4ETE1 Semikron
SK35GD12T4ETE1 Semikron
SK35GD12T4ETE1 Semikron
Nie ma już w magazynie
ID Code:182131
Producent:Semikron
Cena: na życzenie
VAT:21 %
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: SK35GD12T4ETE1
Jednostki:: szt
IGBT 1200V

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaSK35GD12T4ETE1 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguracja:Bridge 3f -SE(single emiter) 
Budowa:6*(IGBT+D) 
Liczba obwodów 6 ks
Rodzaj sprawy:Modul 
Obudowa [inch] :SEMITOP-E1 
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:24 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):10 

Parametry elektrofizyczne:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)43 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)35 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
Cin/CL Load Capacitance1950 pF

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)175 [°C]
Rthjc (case)1.2 [°C/W]

!_potrebujete poradit ?_! SK35GD12T4ETE1 Semikron

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji