IGBT 1200V
ID Code: | 182131 |
Producent: | Semikron |
Cena: | na życzenie |
VAT: | 21 % |
Całkowity czas: | 0 szt |
Oznaczenie producenta: | SK35GD12T4ETE1 |
Jednostki:: | szt |
Oznaczenie producenta | SK35GD12T4ETE1 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | Bridge 3f -SE(single emiter) |
Budowa: | 6*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 6 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SEMITOP-E1 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Jednostki: | szt |
Waga: | 24 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 43 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 35 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
Cin/CL Load Capacitance | 1950 pF |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 1.2 [°C/W] |