Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

IXBN75N170A

Tranzistor IGBT 75 Amps 1700V 6.00 Rds

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
IXBN75N170A Ixys
IXBN75N170A Ixys
IXBN75N170A Ixys
szt
ID Code:182208
Producent:Ixys
Cena z VAT : 60,201146 €
Cena bez VAT : 49,753013 €
VAT:21 %
Dostępność:W magazynie
Całkowity czas:12 szt
Oznaczenie producenta: IXBN75N170A
Magazyn centralny Zdice: 12 szt
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
1 + 49,753013 €60,201146 €
3 + 49,002173 €59,292629 €
5 + 48,646513 €58,862281 €
10 + 48,251334 €58,384114 €
Tranzistor IGBT 75 Amps 1700V 6.00 Rds

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaIXBN75N170A 
Typ składnika:Transistor Bipolar NPN 
KategorieBipolar NPN 
Rodzaj sprawy:Modul 
Obudowa [inch] :SOT-227 
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:36 [g]
Rodzaj opakowania:TUBE 
Małe opakowanie (liczba sztuk):10 

Parametry elektrofizyczne:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)75 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)42 [A]
UF (maximum forward voltage)4.2 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)4.95 [V]
IDC-OUT (TC/TA=25°C)[A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)1000 [V/µs]
tf (turn-off=fall time)150000 [ns]

Parametry termiczne i mechaniczne:

Wymiary (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimalna temperatura robocza)-55 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]
Rthjc (case)0.2 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Rozstaw rzędów 12.7 [mm]
D - Średnica zewnętrzna 4.1 [mm]
L - Długość 38.1 [mm]
W - Szerokość 25.3 [mm]
H - Wysokość 12 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! IXBN75N170A Ixys

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji