Tranzistor IGBT 75 Amps 1700V 6.00 Rds
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | IXBN75N170A |
Typ składnika: | Transistor Bipolar NPN |
Kategorie | Bipolar NPN |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SOT-227 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 36 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 10 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 75 [A] |
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C) | 42 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 4.2 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 4.95 [V] |
IDC-OUT (TC/TA=25°C) | 2 [A] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 1000 [V/µs] |
tf (turn-off=fall time) | 150000 [ns] |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.2 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 15 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 12.7 [mm] |
D - Średnica zewnętrzna | 4.1 [mm] |
L - Długość | 38.1 [mm] |
W - Szerokość | 25.3 [mm] |
H - Wysokość | 12 [mm] |