Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

DPI1200P45C2626

Press-Pack IGBT + Diode 4500V/1200A

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
DPI1200P45C2626 Dynex Semiconductor
DPI1200P45C2626 Dynex Semiconductor
DPI1200P45C2626 Dynex Semiconductor
DPI1200P45C2626 Dynex Semiconductor
Nie ma już w magazynie
ID Code:182836
Producent:Dynex Semiconductor
Cena: na życzenie
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: DPI1200P45C2626
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
Press-Pack IGBT + Diode 4500V/1200A

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaDPI1200P45C2626 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguracja:single 1*(T+D) 
Budowa:1*(IGBT+D) 
Liczba obwodów 1 ks
Rodzaj sprawy:PUK 
Obudowa [inch] :PUK170/125x27T 
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:3700 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):

Parametry elektrofizyczne:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1200 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)1200 [A]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.6 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)11400  [W]
tr (Turn-on / rise time)400 [ns]
tf (turn-off=fall time)2900 [ns]
Qg (Total Gate Charge)19000 [nC]

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)125 [°C]
Rthjc1 IGBT0.009 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.009 [°C/W]
D - Średnica zewnętrzna 170 [mm]
H - Wysokość 27 [mm]
Fmin:50000 [N]
Fmax:70000 [N]

Alternatywy i zamienniki

Alternatywne produkty 1:T1600GB45E 
Alternatywne produkty 2:5SNA 2000K451300 
Alternatywne produkty 3:T1600GB45G 

!_potrebujete poradit ?_! DPI1200P45C2626 Dynex Semiconductor

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji