MOSFET 200V / 180A Half Bridge
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | DAMH220N200 |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Konfiguracja: | Half Bridge |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 2*FET-BD |
Liczba obwodów | 2 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | HB-9434 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
Material Base | Cu+AL2O3 |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 185 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 12 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 180 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 0.85 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 560 [W] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 7.8 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 300 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 44 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 48 [ns] |
f max | 40 [kHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 335 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 46600 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 94x34x30 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -50 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.2 [°C/W] |
L - Długość | 94 [mm] |
W - Szerokość | 34 [mm] |
H - Wysokość | 30 [mm] |