- Home
- Półprzewodniki
- Tranzystory
- IGBT
- Full Silicon
- TG 450HF12M1-S3A00
TG 450HF12M1-S3A00
IGBT 1200V
| ID Code: | 183412 |
| Producent: | Dynex Semiconductor |
| Cena z VAT : | 200,715673 € |
| Cena bez VAT : | 165,880721 € |
| VAT: | 21 % |
| Dostępność: | na życzenie |
| Całkowity czas: | 0 szt |
| Oznaczenie producenta: | TG 450HF12M1-S3A00 |
| Magazyn centralny Zdice: | 0 szt |
| Jednostki:: | szt |
| Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT | |
| 1 + | 165,880721 € | 200,715672 € | ||
| 3 + | 158,668516 € | 191,988904 € | ||
| 6 + | 144,244105 € | 174,535367 € | ||
| 12 + | 129,819695 € | 157,081831 € |
IGBT 1200V
Podstawowe informacje:
| Oznaczenie producenta | TG 450HF12M1-S3A00 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguracja: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
| Budowa: | 2*(IGBT+D) |
| Liczba obwodów | 2 ks |
| Rodzaj sprawy: | Modul |
| Obudowa [inch] : | SEMiX-3p |
| Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
| Material Base | Cu |
| RoHS | Tak |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
| Jednostki: | szt |
| Waga: | 450 [g] |
| Rodzaj opakowania: | BOX |
| Małe opakowanie (liczba sztuk): | 10 |
Parametry elektrofizyczne:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 450 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 450 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.65 [VDC] |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.65 [V] |
| I2t (TC/TA=25°C) | 4600 [A2s] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 2800 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 70 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 260 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 4600 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 62000 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
| Wymiary (L*W*H) [mm]: | 150x62x21 |
| Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
| Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.052 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.086 [°C/W] |
| L - Długość | 150 [mm] |
| W - Szerokość | 62 [mm] |
| H - Wysokość | 21 [mm] |
Alternatywy i zamienniki
| Alternatywa 1: | 185021 - DIM 450M1HS12-PB500 (DYN) |