IGBT 1700V
ID Code: | 183413 |
Producent: | Dynex Semiconductor |
Cena: | na życzenie |
VAT: | 21 % |
Dostępność: | na życzenie |
Całkowity czas: | 0 szt |
Oznaczenie producenta: | TG450HF17M1-S300 |
Jednostki:: | szt |
Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT |
Oznaczenie producenta | TG450HF17M1-S300 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Budowa: | 2*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 2 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SEMiX-3p |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednostki: | szt |
Waga: | 450 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 450 [A] |
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C) | 450 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3400 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.4 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 16200 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 2270 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 65 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 560 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 4400 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 42000 pF |
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 150x62x21 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.055 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.095 [°C/W] |
L - Długość | 150 [mm] |
W - Szerokość | 62 [mm] |
H - Wysokość | 21 [mm] |
Alternatywa 1: | 185022 - DIM 450M1HS17-PA500 (DYN) |