Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

S1109SXD50

Flat Base Rectifier Diode 5000V/470A, Cathoda on Base

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
S1109SXD50 Dynex Semiconductor
S1109SXD50 Dynex Semiconductor
S1109SXD50 Dynex Semiconductor
szt
ID Code:183623
Producent:Dynex Semiconductor
Cena z VAT : 4 686,030429 €
Cena bez VAT : 3 872,752420 €
VAT:21 %
Dostępność:na życzenie
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: S1109SXD50
Magazyn centralny Zdice: 0 szt
Jednostki:: szt
Przegląd rabatów ilościowych
Ilość (szt)Cena bez VATCena z VAT
1 + 3 872,752420 €4 686,030428 €
3 + 3 775,933610 €4 568,879668 €
6 + 3 582,295989 €4 334,578147 €
12 + 3 291,839557 €3 983,125864 €
Flat Base Rectifier Diode 5000V/470A Cathoda on Base

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaS1109SXD50 
Typ składnika:Diode Standard 
KategorieDiode Standard Disc 
Konfiguracja:single (1D) 
Rodzaj sprawy:PUK 
Obudowa [inch] :PUK-FlatBase 
Rodzaj materiału:Si-Silicon 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:835 [g]
Rodzaj opakowania:BOX 
Małe opakowanie (liczba sztuk):

Parametry elektrofizyczne:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)470 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)470 [A]
UF (maximum forward voltage)2.1 [VDC]
IR (reverse current)50000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)441000 [A2s]

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)150 [°C]
Rthjc (case)0.065 [°C/W]
D - Średnica zewnętrzna 52 [mm]
L - Długość 126 [mm]
W - Szerokość 60 [mm]
H - Wysokość 73 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! S1109SXD50 Dynex Semiconductor

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji