SiC MOSFET 1200V / 47A Rds= 50mOhm
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | IXFN50N120SiC |
Typ składnika: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfiguracja: | single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | SiC Enhancement Mode MOSF |
Budowa: | 1*FET-BD |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SOT-227 |
Rodzaj materiału: | SiC Full |
Material Base | No Info |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
UL94 | V-0 |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 36 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 10 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 30 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 5.2 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 890 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 26 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 9 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 19 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 100 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1900 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.14 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 0.55 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 15 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 12.7 [mm] |
D - Średnica zewnętrzna | 4.1 [mm] |
L - Długość | 38.1 [mm] |
W - Szerokość | 25.3 [mm] |
H - Wysokość | 12 [mm] |
Alternatywy i zamienniki
Alternatywa 1: | 183083 - DACMI 80N1200 (DAC) |