Single SiC MOSFET 1200V 40A 208W SOT-227
ID Code: | 183799 |
Producent: | Daco Semiconductor |
Cena: | na życzenie |
VAT: | 21 % |
Dostępność: | na życzenie |
Całkowity czas: | 0 szt |
Oznaczenie producenta: | DACMI40N1200 |
Jednostki:: | szt |
Przegląd rabatów ilościowych | Ilość (szt) | Cena bez VAT | Cena z VAT |
Oznaczenie producenta | DACMI40N1200 |
Typ składnika: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfiguracja: | single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | SiC Enhancement Mode MOSF |
Budowa: | 1*FET-BD |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SOT-227 |
Rodzaj materiału: | SiC Full |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednostki: | szt |
Waga: | 36 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 13 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 25 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 4.3 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 208 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 57 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 24 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 9 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 129 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1800 pF |
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -50 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.26 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.6 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 15 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 12.7 [mm] |
D - Średnica zewnętrzna | 4.1 [mm] |
L - Długość | 38.1 [mm] |
W - Szerokość | 25.3 [mm] |
H - Wysokość | 12 [mm] |
Alternatywa 1: | 183780 - IXFN50N120SiC (IXY) |
Alternatywa 2: | 185861 - MSC040SMA120J (MCH) |
I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm ID: 181709 Oznaczenie producenta: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni
| Całkowity czas: 7491 Producent: SEMIC EU |