IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | DIM1000ECM33-MS018 |
Typ składnika: | IGBT-SPT |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | single-E2*(T+D)+D(Chopper) |
Budowa: | 2*IGBT+3*D |
Liczba obwodów | 2 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | MODUL-E |
Rodzaj materiału: | Base AlSiC |
Materiał: Obudowa | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 1900 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 2 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1000 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 1000 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.9 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.6 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 320000 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 11900 [W] |
Esw (125°C) | 4750 [mJ] |
tr (Turn-on / rise time) | 470 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 640 [ns] |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 190x140x38 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.006 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.01 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.018 [°C/W] |
L - Długość | 190 [mm] |
W - Szerokość | 140 [mm] |
H - Wysokość | 38 [mm] |