MOSFET 100VPower transistor OptiMOS 5
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | BSC035N10NS5ATMA1 |
Typ składnika: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Konfiguracja: | Single 1*(T-BD) |
Specyfikacja: | Enhancement Mode |
Budowa: | 1*FET-BD |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | SMD |
Obudowa [inch] : | SON- 8 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 212 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 5000 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 80 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 2450 [A2s] |
tr (Turn-on / rise time) | 14 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 16 [ns] |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 120 [°C] |
Rthjc (case) | 20 [°C/W] |