Trench IGBT Modules 1200V
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | SEMiX106GD12T4p |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | Bridge 3f |
Budowa: | 6*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 6 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SEMiX-6p |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 380 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 6 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 167 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 129 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.52 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 28 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 66 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 565 [nC] |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 122x62x17 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.25 [°C/W] |
L - Długość | 122 [mm] |
W - Szerokość | 62.5 [mm] |
H - Wysokość | 17 [mm] |