MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
Typical Applications
• Switched Mode Power Supplies
• Energy Storage Systems
• Electric Vehicle charging
• UPS
• Solar
• Motor Drives
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | SK150MB120CR03TE2 |
Typ składnika: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfiguracja: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Specyfikacja: | SiC N-Channel MOSFET |
Budowa: | 2*FET-BD |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SEMITOP-E2 |
Rodzaj materiału: | SiC Full |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 24 [g] |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 15 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 157 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Input Logic Level (Ugs level) | 15V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 40 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 29 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 472 [nC] |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 1 [°C/W] |
L - Długość | 57 [mm] |
W - Szerokość | 63 [mm] |
H - Wysokość | 17 [mm] |