IGBT 1200V
ID Code: | 191221 |
Producent: | Semikron |
Cena: | na życzenie |
VAT: | 21 % |
Dostępność: | W magazynie |
Całkowity czas: | 100 szt |
Oznaczenie producenta: | SK75GB12T4T |
Magazyn centralny Zdice: | 100 szt |
Oznaczenie producenta | SK75GB12T4T |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | Bridge 3f -SE(single emiter) |
Budowa: | 6*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 6 ks |
Rodzaj sprawy: | Modul |
Obudowa [inch] : | SEMITOP-3 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
Material Base | Ceramic |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Waga: | 39 [g] |
Rodzaj opakowania: | BOX |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 80 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 65 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.1 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 570 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 4400 pF |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.74 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.97 [°C/W] |
L - Długość | 57 [mm] |
W - Szerokość | 63 [mm] |
H - Wysokość | 17 [mm] |