Miejsce dostawy   Język:    Waluta:    
Masz żadnych produktów w koszyku

SK80MB120CR03TE1

MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC

!_prilohy_!:
Kliknij, aby powiększyć
SK80MB120CR03TE1 Semikron
SK80MB120CR03TE1 Semikron
Nie ma już w magazynie
ID Code:186123
Producent:Semikron
Cena: na życzenie
VAT:21 %
Całkowity czas:0 szt
Oznaczenie producenta: SK80MB120CR03TE1
Jednostki:: szt
MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
Typical Applications
• Switched Mode Power Supplies
• Energy Storage Systems
• Electric Vehicle charging
• UPS
• Solar
• Motor Drives

Podstawowe informacje:

Oznaczenie producentaSK80MB120CR03TE1 
Typ składnika:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfiguracja:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Specyfikacja:SiC N-Channel MOSFET 
Budowa:2*FET-BD 
Rodzaj sprawy:Modul 
Obudowa [inch] :SEMITOP-E1 
Rodzaj materiału:SiC Full 
RoHSTak 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Opakowania i wagi:

Jednostki:szt 
Waga:24 [g]
Małe opakowanie (liczba sztuk):15 

Parametry elektrofizyczne:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)82 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Input Logic Level (Ugs level)15V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)32 [ns]
tr (Turn-on / rise time)10 [ns]
tf (turn-off=fall time)11 [ns]
Qg (Total Gate Charge)236 [nC]

Parametry termiczne i mechaniczne:

Tmin (minimalna temperatura robocza)-40 [°C]
Tmax (maksymalna temperatura robocza)125 [°C]
Rthjc (case)1 [°C/W]

!_potrebujete poradit ?_! SK80MB120CR03TE1 Semikron

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Zapytanie
     Więcej informacji




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Proszę przepisać kod z obrazka antispam

W zakresie usług Pomóż nam ciasteczka. Korzystając z naszych usług zgadzasz się zastosowanie plików cookie.   Więcej informacji